一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 董业民 ; 王曦 ; 陈猛 ; 陈静 ; 李志坚 ; 田立林 ; 何平 ; 林羲 |
| 发表日期 | 2004-09-15 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1529349 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 清华大学 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：(1)纳米侧墙的形成，其厚度为30～100nm；(2)以侧墙的厚度定义SiO2掩膜和多晶硅栅，SiO2掩膜厚度为100～800nm，栅的厚度为300～500nm，栅氧化层的厚度为1～30nm；(3)以多晶硅栅和其上的SiO2叠层掩模， |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2004-09-15 |
| 申请日期 | 2003-09-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 03151252.6 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48697]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董业民,王曦,陈猛,等. 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法. CN1529349. 2004-09-15. |
入库方式： OAI收割
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