晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法
文献类型：专利
| 作者 | 张继华 ; 杨文伟 ; 董业民 ; 王曦 ; 于伟东 ; 冯涛 |
| 发表日期 | 2004-11-17 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1547236 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构，以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列，以达到利用晶体管优良的电流控制特性来控制碳纳米管场发射显示阵列发射电流的目的。制备晶体管控制碳纳米管场发射显示阵列的方法，依次包括在基板上形成晶体管，然后在晶体管漏沉积发射阵列栅绝缘层和发射阵列的栅电极并刻蚀栅孔，最后沉积碳纳米管。采用本发明提供的方法所制作的场发射显示阵列能够使场发射显示器的发射电流稳定、均匀显示，并且 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2004-11-17 |
| 申请日期 | 2003-12-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200310109479.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48713]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张继华,杨文伟,董业民,等. 晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法. CN1547236. 2004-11-17. |
入库方式： OAI收割
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