用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王曦 ; 孙佳胤 ; 陈静 ; 武爱民 ; 欧欣 |
| 发表日期 | 2008-01-16 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101106161 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法，其特征 在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料(SOI)或具有单晶硅-绝缘埋层 -单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成一个个独立的 硅岛；硅岛之间的最小距离要大于外延氮化镓厚度的两倍；且独立硅岛的中 心区域下的衬底硅和绝缘埋层被全部刻蚀掉，而其它部分的衬底硅和绝缘埋 层给予保留，从而独立硅岛的中心区域悬空，悬空面积S2大于独立硅岛面积 S1的70％，而小于90％。本发明所得到的中心悬空的顶 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-01-16 |
| 申请日期 | 2007-07-10 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710043618.6 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48757]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王曦,孙佳胤,陈静,等. 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法. CN101106161. 2008-01-16. |
入库方式： OAI收割
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