用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法
文献类型：专利
| 作者 | 武爱民 ; 陈静 ; 孙佳胤 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2008-01-23 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101110428 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种应用于MEMS领域的多层SOI材料及制备方法，其特 征在于采用SOI(Silicon-On-Insulator绝缘体上的硅)材料或者具有类SOI 的多层复合结构衬底，采用硅硅直接键合或熔融键合、结合研磨和抛光或者 智能剥离的方法获得具有晶体硅层和绝缘埋层相叠分布的多层结构的SOI 材料。该材料可便利的实现特定的MEMS复杂器件的制造，精确控制器件 中的某些特征尺寸，从而完善SOI之于MEMS的应用。对于一些沟槽隔离 的微机械加工的微电子器件，该材料也是其实现单片集成的有效解决方案。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-01-23 |
| 申请日期 | 2007-07-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710043680.5 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48773]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武爱民,陈静,孙佳胤,等. 用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法. CN101110428. 2008-01-23. |
入库方式： OAI收割
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