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离子束辅助沉积铂-碳混合膜的工艺方法

文献类型:专利

作者江炳尧 ; 冯涛 ; 王曦 ; 柳襄怀
发表日期2008-02-27
专利国别中国
专利号CN101130856
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂-碳混合膜,即在溅射沉积铂-碳 混合膜的同时,由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大 而迅速增大的特点,通过调节辅助轰击氩离和剂量,精确控制铂-碳混合膜 的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现,工艺简单、 成本低,特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。
是否PCT专利
公开日期2008-02-27
申请日期2007-10-10
语种中文
专利申请号200710046884.4
专利代理潘振甦
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48785]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
江炳尧,冯涛,王曦,等. 离子束辅助沉积铂-碳混合膜的工艺方法. CN101130856. 2008-02-27.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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