离子束辅助沉积铂-碳混合膜的工艺方法
文献类型:专利
作者 | 江炳尧 ; 冯涛 ; 王曦 ; 柳襄怀 |
发表日期 | 2008-02-27 |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101130856 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂-碳混合膜,即在溅射沉积铂-碳 混合膜的同时,由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大 而迅速增大的特点,通过调节辅助轰击氩离和剂量,精确控制铂-碳混合膜 的铂/碳成份比。本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现,工艺简单、 成本低,特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2008-02-27 |
申请日期 | 2007-10-10 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200710046884.4 |
专利代理 | 潘振甦 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48785] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 江炳尧,冯涛,王曦,等. 离子束辅助沉积铂-碳混合膜的工艺方法. CN101130856. 2008-02-27. |
入库方式: OAI收割
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