用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法
文献类型：专利
| 作者 | 谢正生 ; 吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 刘成 ; 曹萌 ; 黄占超 |
| 发表日期 | 2008-10-29 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101295753 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种用于III-V族化合物半导体光电器件结构制作的低温 Au-In-Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、 低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的 方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退 火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学 性质，同时整合了III-V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各 自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢 靠，且键合过程 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-10-29 |
| 申请日期 | 2007-04-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710039882.2 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48833]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢正生,吴惠桢,劳燕锋,等. 用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法. CN101295753. 2008-10-29. |
入库方式： OAI收割
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