发光二极管的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈静 ; 孙佳胤 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2008-11-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101304063 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种发光二极管的制作方法，包括下步骤：采用具有六方晶格的外延衬底； 在外延衬底表面生长发光层；采用导电支撑衬底；将导电支撑衬底同外延衬底表面的发光 层键合；除去外延衬底。本发明的优点在于，采用具有六方晶像的外延衬底生长发光层， 可以保证发光层的晶体质量；采用同导电支撑衬底键合并剥离外延衬底的方法，解决了外 延衬底不导电、无法制作垂直结构的技术问题。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-11-12 |
| 申请日期 | 2008-07-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810040172.6 |
| 专利代理 | 黄志达 ; 宋 缨 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48843]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,孙佳胤,王曦. 发光二极管的制作方法. CN101304063. 2008-11-12. |
入库方式： OAI收割
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