HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
文献类型：专利
| 作者 | 王新中 ; 于广辉 ; 林朝通 ; 曹明霞 ; 巩航 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 发表日期 | 2008-12-10 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101320686 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子 点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO2纳米粒子点阵作为GaN横 向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化 学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着沉积一层介质SiO2层，然后用 酸或碱溶液去除AAO，这样就在GaN模板上得到了SiO2纳米粒子的点阵分 布，经过清洗后，最后把这个模板作为衬底，置于HVPE反应腔内生长GaN 厚膜。本发明不 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-12-10 |
| 申请日期 | 2008-07-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810040201.9 |
| 专利代理 | 潘振黡 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48863]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新中,于广辉,林朝通,等. HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法. CN101320686. 2008-12-10. |
入库方式： OAI收割
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