双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 张挺 ; 宋志棠 ; 万旭东 ; 刘波 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2009-01-07 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101339921 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 中文摘要 | 本发明涉及双浅沟道隔离(dual-STI)的双极型晶体管阵列的制造方法， 其特征在于制造方法中，避免了选择性外延法，在第一导电类型的衬底上制 造形成较深的STI，在STI的侧壁和底部均匀沉积含有易扩散的第二导电类 型原子材料；去除沉积在STI槽口附近的含有易扩散的第二导电类型原子材 料；退火使上述材料中的第二导电类型原子扩散到位线中，形成对位线的第 二导电类型重掺杂；随后通过刻蚀将因第二导电类型原子扩散而相互连接的 位线分隔开，使位线之间电学不导通；通过离子注入和光刻在上述独立位线 上方形成独立的双极型晶 |
| 公开日期 | 2009-01-07 |
| 申请日期 | 2008-08-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810041516.5 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48893]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,宋志棠,万旭东,等. 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法. CN101339921. 2009-01-07. |
入库方式： OAI收割
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