一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘彦伯 ; 钮晓鸣 ; 宋志棠 ; 闵国全 ; 刘波 ; 周伟民 ; 李小丽 ; 万永中 ; 封松林 |
| 发表日期 | 2009-02-11 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101364564 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海市纳米科技与产业发展促进中心 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，属于微电子领域。其特征在于首先将所需的 大面积高密度阵列结构定义在一块透明的固态面板上，然后在基底表面依次溅射绝缘材料、金属材料、过 渡材料和相变材料，在相变材料表面覆盖图形转移介质，通过印刻将固态面板上的阵列结构定义在相变材 料层表面的图形转移介质层上，最后通过刻蚀在基底上得到所需的大面积高密度相变材料阵列。只要定义 一块阵列结构均匀、一致性好、边缘平整光滑的固态面板，就可重复使用，获得大面积、结构均匀一致、 边缘平滑、质量优越的阵列结构。工艺简便、成本 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-02-11 |
| 申请日期 | 2007-08-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710044608.4 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48923]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘彦伯,钮晓鸣,宋志棠,等. 一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法. CN101364564. 2009-02-11. |
入库方式： OAI收割
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