一种纳米级相变存储单元阵列制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘彦伯 ; 钮晓鸣 ; 宋志棠 ; 闵国全 ; 周伟民 ; 李小丽 ; 刘波 ; 万永中 ; 封松林 |
| 发表日期 | 2009-02-11 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101364567 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海市纳米科技与产业发展促进中心 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作 出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相 变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵 列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替 了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺， 又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题， |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-02-11 |
| 申请日期 | 2007-08-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710044609.9 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48925]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘彦伯,钮晓鸣,宋志棠,等. 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法. CN101364567. 2009-02-11. |
入库方式： OAI收割
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