一种可调带隙三节薄膜太阳能电池及其制作方法
文献类型:专利
作者 | 周健 ; 孙晓玮 ; 王 伟 ; 谈惠祖 ; 周 舟 |
发表日期 | 2009-03-11 |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101383385 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明涉及一种基于玻璃衬底的可调带隙薄膜太阳能电池及其制作方法,其特征在于采用不同带隙结构材料α-SiC、αGexSi1-x、μ-Si作为吸收层,组成三节结构,增加光能捕获;采用调节本征层Ge、Si成分比例的方法,获得不同的带隙,从而增强光能吸收;采用PECVD成膜,工艺加工耗能少;采用激光划片,实现电池片内串连,无需光刻工艺,适合批量生产。 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2009 |
申请日期 | 2008-09-27 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200810200672.1 |
专利代理 | 余明伟 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48939] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周健,孙晓玮,王 伟,等. 一种可调带隙三节薄膜太阳能电池及其制作方法. CN101383385. 2009-03-11. |
入库方式: OAI收割
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