自对准制作微结构的方法及其制作的红外热电堆探测器
文献类型：专利
| 作者 | 熊斌 ; 杨恒昭 ; 徐德辉 ; 王跃林 |
| 发表日期 | 2009-04-08 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101402445 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种自对准制作微结构的方法及其制作的微机械热电堆红外 探测器，特征在于利用多晶硅条的自对准刻蚀下面的介质层形成热电堆，使 用各向同性的干法刻蚀腐蚀硅衬底释放结构。热电堆可成悬臂梁直接悬空于 衬底上。工艺步骤包括复合介质膜形成、多晶硅条形成、包裹多晶硅条、自 对准形成腐蚀开口、引线孔形成，热电堆形成以及干法刻蚀释放结构等。探 测器包括基体、框架、热电堆、复合介质膜、腐蚀孔五部分。优点在于使用 干法刻蚀使用铝金属制作热偶。所有结构是由标准CMOS工艺中最常见的材 料构成的，便于将放大器等信号处理电路 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-04-08 |
| 申请日期 | 2008-11-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810202158.1 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48953]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊斌,杨恒昭,徐德辉,等. 自对准制作微结构的方法及其制作的红外热电堆探测器. CN101402445. 2009-04-08. |
入库方式： OAI收割
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