一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈静 ; 王曦 ; 孙佳胤 ; 武爱民 |
| 发表日期 | 2009-05-13 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101428752 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种III族氮化物材料的生长方法，其特征在于包括如下步 骤：选择一悬臂梁，所述悬臂梁具有一固定端和一自由端；在悬臂梁的上表 面生长缓冲层，在缓冲层的表面生长III族氮化物层。本发明的优点在于，采 用悬臂梁作为生长III族氮化物的衬底，由于悬臂梁仅一端固定，可以降低 III族氮化物层中的应力，提高晶体质量。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-05-13 |
| 申请日期 | 2008-11-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810202861.2 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48967]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,王曦,孙佳胤,等. 一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法. CN101428752. 2009-05-13. |
入库方式： OAI收割
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