电阻转换存储器
文献类型：专利
| 作者 | 张挺 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2009-07-22 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101488514 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 中文摘要 | 本发明揭示一种电阻转换存储器，包括选通单元、数据存储单元；所述选通 单元为PN二极管、或肖特基二极管、或双极型晶体管；所述电阻转换存储器采用 的选通单元被至少两个深度不同的浅沟道相互隔离开。本发明提供几种电阻转换 存储器的器件结构，包括了PN二极管、肖特基二极管和双极型晶体管的器件结 构，这些结构的特点在于构造简单，因此其制造方法简便，且与半导体工艺完全 兼容，有助于降低成本，使采用该技术的高密度电阻转换存储器更具竞争力。 |
| 公开日期 | 2009-07-22 |
| 申请日期 | 2009-02-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910046487.6 |
| 专利代理 | 余明伟 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49033]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,宋志棠,刘波,等. 电阻转换存储器. CN101488514. 2009-07-22. |
入库方式： OAI收割
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