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HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法

文献类型:专利

作者于广辉 ; 王新中 ; 林朝通 ; 曹明霞 ; 卢海峰 ; 李晓良 ; 巩航 ; 齐鸣 ; 李爱珍
发表日期2009-08-26
专利国别中国
专利号CN101514484
专利类型发明
权利人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳 米多孔材料衬底及其制备方法,其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜 GaN外延生长的衬底,改善晶体质量,同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬 底的GaN模板上沉积一层金属Al薄层,经电化学的方法形成均匀的多孔网 状阳极氧化铝(AAO),再采用诱导耦合等离子体刻蚀(ICP)等技术,刻蚀 得到多孔GaN材料,孔的底部露出Si衬底表面;在此基础上采用腐蚀方法, 实现对Si的腐蚀并获得复合纳米多孔结构;通过表面处理,使得Si的表面 覆盖SiN
是否PCT专利
公开日期2009-08-26
申请日期2009-02-20
语种中文
专利申请号200910046387.3
专利代理潘振甦
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49055]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式
GB/T 7714
于广辉,王新中,林朝通,等. HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法. CN101514484. 2009-08-26.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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