HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法
文献类型：专利
| 作者 | 于广辉 ; 王新中 ; 林朝通 ; 曹明霞 ; 卢海峰 ; 李晓良 ; 巩航 ; 齐鸣 ; 李爱珍 |
| 发表日期 | 2009-08-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101514484 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳
米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜
GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬
底的GaN模板上沉积一层金属Al薄层，经电化学的方法形成均匀的多孔网
状阳极氧化铝(AAO)，再采用诱导耦合等离子体刻蚀(ICP)等技术，刻蚀
得到多孔GaN材料，孔的底部露出Si衬底表面；在此基础上采用腐蚀方法，
实现对Si的腐蚀并获得复合纳米多孔结构；通过表面处理，使得Si的表面
覆盖SiN |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-08-26 |
| 申请日期 | 2009-02-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910046387.3 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49055]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广辉,王新中,林朝通,等. HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法. CN101514484. 2009-08-26. |
入库方式： OAI收割
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