相变存储器加热电极的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯高明 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 万旭东 ; 吴关平 |
| 发表日期 | 2009-10-28 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101567420 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用CVD技术在衬底 上依次沉积SiO2/S3N4/SiO2介质层，接着使用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在 顶层SiO2上制备出直径为150～300nm的孔洞。之后，沉积S3N4 100～200nm并刻 蚀，连同一开始沉积的S3N4刻穿，在孔洞中形成出50～15 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-10-28 |
| 申请日期 | 2009-06-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910052407.8 |
| 专利代理 | 余明伟 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49095]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯高明,宋志棠,刘波,等. 相变存储器加热电极的制备方法. CN101567420. 2009-10-28. |
入库方式： OAI收割
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