柱状相变材料纳米阵列及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯高明 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 万旭东 ; 吴关平 |
| 发表日期 | 2009-10-28 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101567421 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种柱状相变材料纳米阵列及其制备方法，可在亚微米CMOS标 准工艺曝光技术基础上，通过利用反应离子刻蚀技术刻蚀修整光刻胶的方法，制 备出柱状结构直径为50nm左右的柱状相变材料纳米阵列。本发明不仅避免了直 接使用100nm以下曝光技术的困难，降低了制造成本，更重要的是降低了相变存 储器的操作电流和功耗，为相变存储器的高速、高密度、低压、低功耗发展方向 奠定了基础。本发明不仅适用于制备相变存储器的相变材料纳米阵列，同样适用 于制备其他电子器件特别是纳电子器件所需的纳米尺度的材料薄膜，具有很大的 应 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-10-28 |
| 申请日期 | 2009-06-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910052408.2 |
| 专利代理 | 余明伟 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49097]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯高明,宋志棠,刘波,等. 柱状相变材料纳米阵列及其制备方法. CN101567421. 2009-10-28. |
入库方式： OAI收割
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