柱状纳米加热电极的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯高明 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 万旭东 ; 吴关平 |
| 发表日期 | 2009-11-04 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101572290 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度 为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜 上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技术中O2 气体修整光刻胶的形貌，将光刻胶图形尺寸缩小到直径为40nm～100nm左右， 利用等离子刻蚀的技术刻蚀TiN薄膜，最后清洗光刻胶得到40nm～100nm的柱 状纳米加热电极。本发明不仅避免了直接使用100nm以下曝光技术的困难，降低 了制造成本，更重要的 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-11-04 |
| 申请日期 | 2009-06-02 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910052406.3 |
| 专利代理 | 余明伟 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49101]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯高明,宋志棠,刘波,等. 柱状纳米加热电极的制备方法. CN101572290. 2009-11-04. |
入库方式： OAI收割
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