一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 周伟民 ; 宋志棠 ; 钮晓鸣 ; 刘彦伯 ; 闵国全 ; 李小丽 ; 万永中 ; 张静 ; 封松林 |
| 发表日期 | 2009-11-25 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101587905 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海市纳米科技与产业发展促进中心 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方 法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线) 状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管 的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米 同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase change memory-CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调 节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-11-25 |
| 申请日期 | 2008-05-22 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810037819.X |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49121]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周伟民,宋志棠,钮晓鸣,等. 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法. CN101587905. 2009-11-25. |
入库方式： OAI收割
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