基于Si纳米线阵列太阳能电池及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 周伟民 ; 钮晓鸣 ; 宋志棠 ; 闵国全 ; 刘彦伯 ; 李小丽 ; 张静 ; 万永忠 ; 封松林 |
| 发表日期 | 2009-11-25 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101587916 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海市纳米科技与产业发展促进中心 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明是关于纳米线阵列太阳能电池制备和纳米加工方法，尤其是Si纳米线阵列太阳能 电池的纳米加工方法。包括：两个电极和在两个电极之间加工出Si纳米线pn结阵列。本发 明用纳米压印技术(Nanoimprint lithography)和结合微电子工艺加工出来的Si纳米线阵列太 阳能电池(SiNws array solar cells)，纳米线分布均匀，成本较低和易于大面积加工，与传统 的微电子工艺有较好的兼容性。这种纳电池在民用设备领域、生物恐怖主义监控领域和内科 诊断领域等有重要的应用前景。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-11-25 |
| 申请日期 | 2008-05-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810037745.X |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49123]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周伟民,钮晓鸣,宋志棠,等. 基于Si纳米线阵列太阳能电池及其制造方法. CN101587916. 2009-11-25. |
入库方式： OAI收割
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