InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法
文献类型：专利
| 作者 | 劳燕锋 ; 曹春芳 ; 吴惠桢 ; 刘成 ; 曹萌 |
| 发表日期 | 2010-03-31 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101685942 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及长波长(1.3μm)InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及制作方法，其特征在于有源层为InP基的InAsP/InGaAsP应变 补偿量子阱。由有效质量模型计算得到InAsP/InGaAsP量子阱能级，从获取 最大电子限制能量角度设计了量子阱结构参数。InAsP/InGaAsP量子阱材料 体系的主要优点在于它的导带带阶大因而有利于电子限制，实现高温度工作 性能。该VCSEL器件结构由气态源分子束外延技术生长。InAsP/InGaAsP量 子阱VCSEL底部腔镜为GaA |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-03-31 |
| 申请日期 | 2008-09-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810200655.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49198]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,等. InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法. CN101685942. 2010-03-31. |
入库方式： OAI收割
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