一种相变存储器的擦写方法
文献类型：专利
| 作者 | 龚岳峰 ; 宋志棠 ; 凌云 |
| 发表日期 | 2010-04-28 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101699562A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，进行擦操作时，首先对器件中的相变材料施加一个脉高较低的脉冲，所述脉冲使相变材料恰好达到熔融温度，并在相变材料局部形成非晶区域；然后继续施加多个脉高较低的脉冲，在相变材料中累积非晶区域，直至器件从低阻态转到高阻态。本发明通过累积作用实现存储器的擦写操作，一方面低脉高产生的低热量有利于材料稳定性，另一方面低脉高能够保证相变存储器在要求低编程电流(电压)环境下的应用，在不改变相变存储器器件结构的情况下，降低了器件功耗，大大节省了优化器件结构的成本。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-04-28 |
| 申请日期 | 2009-11-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910199256.9 |
| 专利代理 | 余明伟 ; 冯珺 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49282]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 龚岳峰,宋志棠,凌云. 一种相变存储器的擦写方法. CN101699562A. 2010-04-28. |
入库方式： OAI收割
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