一种相变存储器的模拟方法
文献类型：专利
| 作者 | 龚岳峰 ; 宋志棠 ; 凌云 ; 刘燕 ; 李宜瑾 |
| 发表日期 | 2010-06-30 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101763452A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种相变存储器的模拟方法，包括以下步骤：A.根据工艺要求建立相变存储单元的几何模型；B.当相变存储单元负载电流时，相变材料的电导率设定为等效熔融态电导率为1041/Ωm量级的固定值；当负载电压时，相变材料的电导率设定为等效晶态电导率，通过计算而得，式中R为基准电阻；C.利用有限元计算法根据电热耦合方程计算出相变存储单元负载不同电流或电压下的电势分布和温度分布；D.根据相变材料的熔融区域，计算相变存储单元在负载不同电流或者电压下的电阻值，从而得到RI关系曲线或RV关系曲线。本发明通过引入基准电阻， |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-06-30 |
| 申请日期 | 2010-01-07 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010022539.9 |
| 专利代理 | 李仪萍 ; 余明伟 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49332]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 龚岳峰,宋志棠,凌云,等. 一种相变存储器的模拟方法. CN101763452A. 2010-06-30. |
入库方式： OAI收割
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