一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 程新红 ; 何大伟 ; 俞跃辉 ; 肖德元 ; 王中健 ; 徐大朋 |
| 发表日期 | 2010-06-30 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101764102A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI??CMOS器件的制作方法，该方法为：由下至上依次生长硅衬底层，埋层氧化层，单晶硅顶层；采用STI工艺在单晶硅顶层位置处形成的有源区进行氧化物隔离；有源区包括NMOS区和PMOS区；在NMOS区和PMOS区中间刻蚀一个窗口，利用热氧化的方法在窗口内侧壁形成NMOS和PMOS栅氧化层；在窗口处淀积多晶硅，填满，掺杂，然后通过化学机械抛光形成垂直栅区；在NMOS和PMOS沟道采用多次离子注入的方式掺杂再快速退火，源漏区则采用离子注入方式重掺杂。本发明工艺简单，制作出的器件 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-06-30 |
| 申请日期 | 2009-12-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910200722.0 |
| 专利代理 | 余明伟 ; 冯珺 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49334]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,何大伟,俞跃辉,等. 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法. CN101764102A. 2010-06-30. |
入库方式： OAI收割
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