一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构
文献类型：专利
| 作者 | 程新红 ; 何大伟 ; 俞跃辉 ; 肖德元 ; 王中健 ; 徐大朋 |
| 发表日期 | 2010-06-30 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101764136A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种可调节垂直栅SOI??CMOS器件沟道电流的叉指型结构，其由多个垂直栅SOI??CMOS器件并列排布而成，其中相邻的垂直栅SOI??CMOS器件的PMOS区与PMOS区相邻，NMOS区与NMOS区相邻；所有垂直栅SOICMOS器件的源区位于同一侧，漏区位于另一侧；所有垂直栅SOI??CMOS器件的栅极从侧面引出形成叉指栅极。相邻的PMOS区共用一个体电极，相邻的NMOS区共用一个体电极，所有体电极并行相连形成叉指体电极。所有源区引出的源极并行连接形成叉指源极；所有漏区引出的漏极并行连接形成 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-06-30 |
| 申请日期 | 2009-12-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910200719.9 |
| 专利代理 | 余明伟 ; 尹丽云 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49336]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,何大伟,俞跃辉,等. 一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构. CN101764136A. 2010-06-30. |
入库方式： OAI收割
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