相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 龚岳峰 ; 宋志棠 ; 凌云 ; 吕世龙 ; 刘燕 ; 李宜瑾 |
| 发表日期 | 2010-07-28 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101789491A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及相变存储单元结构，该结构包括一对共面的、分开的电极；以及所述共面的电极之间的相变材料层，该相变材料层两端分别与电极接触，形成接触部，所述相变材料层的中间部分的厚度大于接触部的厚度。采用本发明的相变存储器采用三维结构，外围电路全部埋置于相变存储阵列下面，使得外围电路面积不会影响整个芯片的面积，相变存储器阵列位于外围电路的上方，布满整个芯片，最大程度利用了芯片的面积，提高器件密度。器件结构采用横向结构，比起纵向结构，在实现同样的结构图形的情况下，简化工艺。器件中相变材料在电极处分布薄，在中心区域分布 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-07-28 |
| 申请日期 | 2010-02-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010106878.5 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49368]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 龚岳峰,宋志棠,凌云,等. 相变存储单元结构、其制备方法及相变存储阵列制备方法. CN101789491A. 2010-07-28. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。