电阻转换存储器装置及其制造工艺
文献类型：专利
| 作者 | 张挺 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2010-08-04 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101794808A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二浅沟道则在同一重掺杂导电半导体线上方隔离形成多个二极管；二极管对应所需选通的电阻转换存储器单元。 |
| 公开日期 | 2010-08-04 |
| 申请日期 | 2010-03-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010127295.0 |
| 专利代理 | 王松 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49376]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,宋志棠,刘波,等. 电阻转换存储器装置及其制造工艺. CN101794808A. 2010-08-04. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。