二极管及电阻转换存储器的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 张挺 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 万旭东 ; 吴关平 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2010-08-18 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101807545A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵列及基于该种二极管的电阻转换存储器。本发明的特点在于可在较低的温度下制造二极管，且能在多层堆叠的集成电路中获得应用。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-08-18 |
| 申请日期 | 2010-03-22 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010130588.4 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49392]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,宋志棠,刘波,等. 二极管及电阻转换存储器的制造方法. CN101807545A. 2010-08-18. |
入库方式： OAI收割
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