共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宋志棠 ; 龚岳峰 ; 刘波 ; 李宜瑾 ; 张挺 ; 凌云 |
| 发表日期 | 2010-09-08 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101826463A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供的共用金属层的肖特基二极管和相变存储阵列的制造方法在制造形成肖特基二极管结构后，以肖特基二极管的金属层作为相变存储器的下电极，在其金属层上继续沉积不具有下电极的相变存储器结构，由此实现肖特基二极管和相变存储器的金属层共享，通过这种驱动二极管和相变存储器共用金属层的结构，可以有较少的工艺步骤制造了二极管和相变存储器阵列，有效节省了光刻次数，提高器件稳定性，通过采用特定的半导体，使得电极金属和半导体层之间形成稳定的肖特基接触。作为本发明的一部分，还包括采用前述方法所形成的肖特基二极管和相变存储器的共 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-09-08 |
| 申请日期 | 2010-04-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010138167.6 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49412]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,龚岳峰,刘波,等. 共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法. CN101826463A. 2010-09-08. |
入库方式： OAI收割
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