一种基于金硅共晶的低温键合方法
文献类型：专利
| 作者 | 熊斌 ; 荆二荣 ; 王跃林 |
| 发表日期 | 2010-09-29 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101844740A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种基于金硅共晶的低温键合的方法，包括上基板的制备、下基板的制备以及上、下基板对准键合，其特征在于以金和硅为键合材料，通过加温加压的方式实现了键合。由于Au不易氧化，所以键合界面没有金属氧化层阻碍键合反应。当键合温度大于Au/Si的共晶温度时，反应中会形成液态的AuSi合金，液态的合金不仅会增强硅和金的扩散，还可以消除键合表面粗糙度的影响。同时，非晶硅或多晶硅表面沉积了一层Ti/Au层，其中Ti金属层用于除去硅表面的自然氧化层，使Au/Si反应在键合区域的各个点都发生。更重要的是，该键合方法不仅 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-09-29 |
| 申请日期 | 2010-06-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010189314.2 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49442]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊斌,荆二荣,王跃林. 一种基于金硅共晶的低温键合方法. CN101844740A. 2010-09-29. |
入库方式： OAI收割
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