防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 肖德元 ; 王曦 ; 黄晓橹 ; 陈静 |
| 发表日期 | 2010-12-22 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101924138A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区、漏区及沟道两侧与Si衬底之间设有绝缘埋层，在沟道中部与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源漏区及沟道两侧与Si衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用Si\SiGe\Si外延层通过刻蚀、掺杂、 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-22 |
| 申请日期 | 2010-06-25 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010212125.2 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49484]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖德元,王曦,黄晓橹,等. 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法. CN101924138A. 2010-12-22. |
入库方式： OAI收割
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