一种具有体接触结构的PD SOI器件
文献类型：专利
| 作者 | 陈静 ; 伍青青 ; 罗杰馨 ; 肖德元 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2010-12-29 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101931008A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种具有体接触结构的PD?SOI器件，该器件的有源区包括：栅区、体区、N型源区、N型漏区、体接触区以及硅化物；所述N型源区和N型漏区相对的分别位于所述体区前部的两侧，所述体接触区位于所述体区后部一侧与所述N型源区并排，所述硅化物位于所述体接触区及所述N型源区之上并同时与它们相接触，所述栅区为倒L型，位于所述体区之上，由所述体区的后部向外引出。该器件的体接触制作在源区与栅极引出的交界处，在有效抑制浮体效应的同时，还具有不会增加芯片面积，消除了传统体接触结构增加芯片面积的缺点，并具有制造工艺简单与 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-29 |
| 申请日期 | 2010-07-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010225638.7 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49492]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,伍青青,罗杰馨,等. 一种具有体接触结构的PD SOI器件. CN101931008A. 2010-12-29. |
入库方式： OAI收割
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