低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 宋三年 ; 宋志棠 ; 吕业刚 |
| 发表日期 | 2010-12-29 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101931049A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种低功耗抗疲劳的相变存储单元，包括：下电极，位于下电极之上的介质材料过渡层，位于介质材料过渡层之上的复合相变材料层以及复合相变材料层之上的上电极；介质材料过渡层采用第一介质材料，为Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多种；复合相变材料层为相变材料和第二介质材料构成的复合材料，第二介质材料为SiO2、HfO2、Ta2O5、TiO2、CeO2中的一种或多种。本发明还提供了制备该低功耗抗疲劳的相变存储单元的方法，所得相变存储单元可减小热量损失，防止相变材料挥发，提高热稳定性，优化界面，减小相变 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-12-29 |
| 申请日期 | 2010-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010271248.3 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49494]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋三年,宋志棠,吕业刚. 低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法. CN101931049A. 2010-12-29. |
入库方式： OAI收割
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