实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈静 ; 伍青青 ; 罗杰馨 ; 肖德元 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-01-19 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101950723A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种实现源体欧姆接触的SOI?MOS器件制作方法，先制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成较高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，之后在栅区周围制备侧墙隔离结构，进行源区和漏区离子注入，通过一道在源区位置设有开口的掩膜版，倾斜的进行重掺杂P离子注入，从而在源区与体区之间形成重掺杂的P型区，最后在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与其旁边的重掺杂P区形成欧姆接触，释放SOI?MOS器件在体区积累的空穴，从而抑制SOIMOS器件的浮 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-01-19 |
| 申请日期 | 2010-07-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010220390.5 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49512]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,伍青青,罗杰馨,等. 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法. CN101950723A. 2011-01-19. |
入库方式： OAI收割
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