基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 程新红 ; 徐大伟 ; 王中健 ; 何大伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 |
| 发表日期 | 2011-01-19 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101950757A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明介绍了一种基于SOI衬底生长的可进行高温处理的高介电常数材料栅结构及其制备方法。该栅结构的制备与现有CMOS工艺中高温处理步骤相兼容。首先通过O2等离子体对SOI表面进行预处理，同时SOI衬底表面将形成一层超薄的SiO2界面层，接着在这层超薄的SiO2上利用原子层沉积(ALD)方式生长一层超薄的氮化铝(AlN)，这层AlN将有效隔离高介电常数层中的杂质元素与SOI顶层硅之间的扩散，以及阻止下方SiO2层在后期热处理过程中的再生长。接着在AlN上沉积一层含铝的高介电常数复合薄膜，该含铝的高介电常数复合 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-01-19 |
| 申请日期 | 2010-07-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010225685.1 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49514]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,徐大伟,王中健,等. 基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法. CN101950757A. 2011-01-19. |
入库方式： OAI收割
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