一种制备悬空应变材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 张苗 ; 张波 ; 王曦 ; 薛忠营 ; 魏星 ; 武爱民 |
| 发表日期 | 2011-01-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101958238A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：a)提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；b)在步骤a所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料层的厚度控制在临界厚度之内；c)接着在衬底材料底部上涂光刻胶，曝光刻蚀出所需的图形；d)对衬底材料进行湿法刻蚀，放入到KOH或TMAH溶液中，刻蚀到外延的晶体材料处自动停止；e)将步骤d所得材料进行退火工艺，使外延晶体材料中应力完全释放；退火温度为300-1000℃；f)退火后在图形上外延淀积晶体层，使晶体层 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-01-26 |
| 申请日期 | 2010-07-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010223192.4 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49534]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,张波,王曦,等. 一种制备悬空应变材料的方法. CN101958238A. 2011-01-26. |
入库方式： OAI收割
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