一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张苗 ; 张波 ; 王曦 ; 薛忠营 ; 魏星 ; 武爱民 |
| 发表日期 | 2011-01-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101958270A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法，其特征在于在选定的半导体衬底材料上外延生长一层半导体材料，该外延生长的半导体材料厚度在临界厚度以内，且使晶体处于完全应变状态，接着进行氧离子注入，使氧离子主要分布在半导体衬底材料中，最后进行800-1200℃高温退火，在形成绝缘埋层的同时，使外延生长的半导体材料顶部发生弛豫，将应力转移到衬底材料的顶部中去，形成新的应变层。所制备的超薄应变材料层≤50nm。本发明只需一步氧离子注入结合外延工艺而省去键合和剥离工艺，使绝缘体上硅得以简单实现。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-01-26 |
| 申请日期 | 2010-07-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010223124.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49536]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,张波,王曦,等. 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法. CN101958270A. 2011-01-26. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。