利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法
文献类型：专利
| 作者 | 张苗 ; 张波 ; 王曦 ; 薛忠营 ; 魏星 ; 武爱民 |
| 发表日期 | 2011-01-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101958271A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法，其特征在于在SOI上面外延一层SiGe层，然后将SOI材料淘空，通过应力转移法，将SiGe的应力转移到SOI材料的顶层硅中，最终获得悬空的应变硅薄膜层。所获得悬空的应变硅薄膜层的厚度为10-50nm。由本发明提供的工艺只需简单的一步外延工艺和湿法刻蚀工艺实施，避免了大量穿透位错的产生，获得高质量的应变硅薄膜材料。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-01-26 |
| 申请日期 | 2010-07-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010223135.6 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49538]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,张波,王曦,等. 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法. CN101958271A. 2011-01-26. |
入库方式： OAI收割
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