化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法
文献类型：专利
| 作者 | 吴良才 ; 宋志棠 ; 倪鹤南 ; 蔡道林 ; 孙浩 ; 饶峰 |
| 发表日期 | 2011-02-02 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种非硅基的肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法,其特征在于所述的存储单元由一个基于化合物(如III-V族半导体GaAs)的肖特基二极管(SBD)和一个可逆相变电阻构成,该SBD具有50ns以下的开关速度,能提供1μA-5mA的电流,耐压能力达到10V以上,此外,SBD具有很强的抗辐照能力,基于结构变化的相变材料,在辐照情况下其阻值不会发生变化,从而实现了高速、低功耗、能提供大电流、耐压好、抗辐照的相变存储单元,由该相变存储单元构成存储阵列,加上SOI衬底上的外围电路,从而形成高速、抗辐照等性 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-02-02 |
| 申请日期 | 2010-08-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010252352.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49540]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴良才,宋志棠,倪鹤南,等. 化合物半导体基肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法. 2011-02-02. |
入库方式： OAI收割
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