相变存储单元和其加热层的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 王良咏 ; 向阳辉 ; 张复雄 ; 钟 F ; 林静 ; 冯永刚 ; 宋志棠 |
| 发表日期 | 2011-02-09 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101969099A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种相变存储单元的加热层的制作方法，包括：在基底上在基底上沉积氮化钛薄膜；在氮氧混合气体环境中，将所述氮化钛薄膜进行退火，形成氮氧化钛薄膜。还提供一种相变存储单元，包括：衬底、位于所述衬底上的绝缘层、贯穿所述绝缘层的相变单元，所述相变单元包括依次形成在所述衬底上的下电极、第一加热层、第一相变层、上电极，所述第一加热层的材料为氮氧化钛。所述加热层与相变层的粘附性很好、且有利于降低相变存储单元的功耗。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-02-09 |
| 申请日期 | 2009-07-28 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910055512.7 |
| 专利代理 | 屈蘅 ; 李时云 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49554]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王良咏,向阳辉,张复雄,等. 相变存储单元和其加热层的制作方法. CN101969099A. 2011-02-09. |
入库方式： OAI收割
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