BSIMSOI4直流模型参数的确定方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈静 ; 伍青青 ; 罗杰馨 ; 柴展 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-02-16 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101976283A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种BSIMSOI4直流模型参数的确定方法，该方法通过提供若干不同尺寸的体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件；测量所有体引出结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性，以及所有浮体结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-Vd特性；并获取各个体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件的无自热效应的电学特性曲线；然后依次按照特定步 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011 |
| 申请日期 | 2010-10-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010515128.3 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49566]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,伍青青,罗杰馨,等. BSIMSOI4直流模型参数的确定方法. CN101976283A. 2011-02-16. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。