基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘燕 ; 宋志棠 ; 凌云 ; 龚岳峰 ; 李宜谨 |
| 发表日期 | 2011-02-16 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101976677A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的绝缘缓冲层；位于绝缘缓冲层上的多条字线；电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管，分别位于每个ZnO肖特基二极管之上的第二导体层；分别位于每个第二导体层之上的相变存储层；电连接于相变存储层的多条位线，其中的ZnO肖特基二极管由第一导体层和n型ZnO多晶态薄膜组成。本发明采用由n型ZnO多晶态薄膜和金属层形成的ZnO肖特基二极管作为选通元件，使相变存储器具有更高的密度，更低的功耗和更高的性能，其制备 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-02-16 |
| 申请日期 | 2010-09-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010292303.7 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49572]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘燕,宋志棠,凌云,等. 基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法. CN101976677A. 2011-02-16. |
入库方式： OAI收割
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