制备纳米晶电阻转换材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 张挺 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 吴关平 ; 张超 ; 封松林 ; 陈邦明 |
| 发表日期 | 2011-04-13 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102011089A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-04-13 |
| 申请日期 | 2010-09-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010289914.6 |
| 专利代理 | 王松 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49602]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,宋志棠,刘波,等. 制备纳米晶电阻转换材料的方法. CN102011089A. 2011-04-13. |
入库方式： OAI收割
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