一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 王曦 ; 张苗 ; 薛忠营 |
| 发表日期 | 2011-05-18 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102064097A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ; 上海新傲科技股份有限公司 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件。首先在绝缘体上硅(SOI，Silicon?On?Insulator)材料的顶层硅上进行第一次图形化刻蚀，将窗口区向下刻蚀到露出支撑衬底硅层；再对埋氧层进行选择性刻蚀，在顶层硅和支撑衬底硅层之间形成腔体，使得埋氧层形成柱状结构；通过化学气相沉积在材料表面依次沉积SiGe合金层和间隔层；进行第二次图形化刻蚀，将第一次图形化刻蚀形成的窗口区由外延形成的TEOS、间隔层和SiGe合金层刻蚀掉，露出支撑硅衬底层；从露出的支撑硅衬底的上表面开始外延Si、Ge |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-05-18 |
| 申请日期 | 2009-11-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910198914.2 |
| 专利代理 | 李仪萍 ; 余明伟 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49618]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王曦,张苗,薛忠营. 一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件. CN102064097A. 2011-05-18. |
入库方式： OAI收割
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