纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途
文献类型：专利
| 作者 | 吕业刚 ; 宋三年 ; 宋志棠 |
| 发表日期 | 2011-06-01 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102082228A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为2-30％的介质材料TiO2和重量百分比为70-98％的相变材料Ge2Te3，由于Ge2Te3相变材料与TiO2在纳米尺度的均匀复合，相变材料分布在由介质材料TiO2形成的纳米框架结构中，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的晶化温度；另一方面相变材料的挥发得到了有效的抑制，组分偏析情况得到明显改善，增加了材料的稳定性。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-06-01 |
| 申请日期 | 2010-10-14 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201010507542.X |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49626]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕业刚,宋三年,宋志棠. 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途. CN102082228A. 2011-06-01. |
入库方式： OAI收割
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