用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈静 ; 罗杰馨 ; 伍青青 ; 宁冰旭 ; 薛忠营 ; 肖德元 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-06-22 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102104048A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法。所述ESD保护结构包括直接连接SOI衬底体区的外延硅层；外延硅层的两侧为侧氧隔离墙，所述侧氧隔离墙用以划分ESD保护结构与本征有源结构；外延硅层的顶部左右两端分别为ESD保护结构的源漏区；外延硅层的顶部中心位置处向上生长有ESD保护结构的多晶硅栅；ESD保护结构的多晶硅栅与外延硅层之间夹有ESD保护结构的二氧化硅栅介质；ESD保护结构的多晶硅栅与ESD保护结构的二氧化硅栅介质的两侧设有侧氧隔离墙。本发明使泄露电流能够下沉至SOI衬底， |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-06-22 |
| 申请日期 | 2009-12-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910201331.0 |
| 专利代理 | 余明伟 ; 尹丽云 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49640]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,罗杰馨,伍青青,等. 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法. CN102104048A. 2011-06-22. |
入库方式： OAI收割
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