一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈静 ; 罗杰馨 ; 伍青青 ; 周建华 ; 肖德元 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-06-22 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102104063A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区，有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区，集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层，基区靠近顶层硅膜表面；基区上形成有发射极和基极，发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术，不仅提高晶体管性能，而且可以减小有源区面积提高集成度；此外本发明采用侧氧隔离工艺，提高SOI? |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-06-22 |
| 申请日期 | 2009-12-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910201332.5 |
| 专利代理 | 余明伟 ; 尹丽云 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49642]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,罗杰馨,伍青青,等. 一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法. CN102104063A. 2011-06-22. |
入库方式： OAI收割
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