体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈静 ; 伍青青 ; 罗杰馨 ; 柴展 ; 王曦 |
| 发表日期 | 2011-08-10 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102147828A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。本发明提出的等效电学模型完整地包括了体引出结构SOIMOSFET器件物理结构的各个部分，即体引出部分和主体部分对其电学特性的影响，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-08-10 |
| 申请日期 | 2011-03-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110072207.6 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49660]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静,伍青青,罗杰馨,等. 体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法. CN102147828A. 2011-08-10. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。