一种电阻转换存储器结构及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 张挺 ; 朱南飞 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 吴关平 ; 张超 ; 谢志峰 ; 封松林 |
| 发表日期 | 2011-08-10 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102148329A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-08-10 |
| 申请日期 | 2011-01-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110026033.X |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49661]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,朱南飞,宋志棠,等. 一种电阻转换存储器结构及其制造方法. CN102148329A. 2011-08-10. |
入库方式： OAI收割
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